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实验室王丽伟副教授在SCI二区TOP刊物Chemosphere发表“富含氧空位金属氧化物半导体”研究综述
作者:  点击数: 时间:2021/01/21 11:38:58

实验室王丽伟副教授为通讯作者,对富含氧空位金属氧化物半导体的合成、表征以及在能源和环境催化领域的研究综述,近期在国际环境科学SCI二区TOP刊物Chemosphere发表。

开发具有良好性能的新型功能材料,以提高能量转化率和降低催化反应势垒,是解决日益严峻的能源问题和环境危机的必要措施。金属氧化物半导体(MOS)因其优良的催化特性而备受关注,并广泛应用于工业催化领域。除了通过调整材料的组分和原子排列方式以外,引入缺陷也可以有效地提高材料的催化性能。特别是在金属氧化物半导体(MOS)的晶格结构中引入氧空位缺陷(OVs),成为改善MOS光、电传输性能的一条简易途径。大量富含OVs的金属氧化物已经在氧还原反应(ORR)、析氧反应(OER)、析氢反应(HER)、二氧化碳还原反应(CO2-RR)、光降解有机污染物等领域发挥重要作用。本综述文章概述了将OVs引入MOS的一些合成技术,以及用于确定和量化MOSOVs的表征技术。此外,本文重点讨论了含OVsMOS在能源和环境催化领域应用、OVs的种类和浓度对催化性能的影响。该综述还介绍了缺陷结构与催化性能的关系,并对富含OVsMOS在催化领域的发展现状和前景提出一些前瞻性的建议。

论文信息:Hongjie Liu, Hao Fu, Yuchang Liu, Xiyong Chen, Kefu Yu, Liwei Wang. Synthesis, characterization and utilization of oxygen vacancy contained metal oxide semiconductors for energy and environmental catalysis. Chemosphere 272 (2021) 129534.

论文链接:https://doi.org/10.1016/j.chemosphere.2021.129534

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